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惠普實驗室（HP Labs）的資深院士 R. Stanley Williams 不久前成功地證實了有關「憶阻器（memristor）」的學說 ─ 所謂的憶阻器是指電子電路中除了電阻、電容與電感之外的第四種被動元素，早在 1971 年就由美國加州柏克萊大學教授 Leon Chua 所提出，不過當時僅是初步發現，直到日前才由 HP 正式發表。而此一成果也意味著相關教科書必須重新改寫。 憶阻器符號 憶阻器概念的創始人 Chua 表示：「我的處境跟 1869 年發明化學元素週期表的俄羅斯化學家 Dmitri Mendeleev 很類似；Mendeleev 當時假設該週期表上有許多失落的元素，而現在所有的化學元素都已經被發現了。同樣的，來自 HP Labs 的 Stanley Williams 發現失落的電路元素 ─ 憶阻器。」 Chua 當時是以數學推論電子電路在電阻、電容與電感之外還有第四種元素；他將之命名為憶阻器的緣故，是因為該元素會透過電阻的改變「記憶」電流的變化。而現在 HP 則宣稱發現了首個憶阻器的實例 ─ 它是由一片雙層的二氧化鈦（bi-level titanium … Continue reading →